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Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術提供多種多樣的分立晶體管組件。QORVO分立晶體管GAAS PHEMT接受用戶在設計低噪聲放大器(LNA)電源電路時完全控制。各類分立FET提供低至0.15dB的NF（最小值），最高可采用22GHz。還提供匹配晶體管，特別適合平衡LNA設計。

主要的顯著特點

較低背景噪聲數值——低至0.15dBNF（最低值）

可以提供裸片或封口形態

應用方向

通訊網絡基站天線

防御通訊網

一對一(PtP)無線路由電

南京市立維創展科技創新是QORVO的經銷商，最主要的帶來了QORVO公率調小器，   IC和裸集成ic，立維創展有著穩定性的批發商校園推廣渠道，市場價格低廉，并更多配備現貨黃金倉庫，熱烈歡迎了解和咨詢。

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