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XF1001-SC有的是款高線性網絡度的Hetrojunction場相應結晶管(HFET),使用工業生產原則SOT-89封口。當元器件偏置在8V的漏極電流值和300m的漏極電流值時,不錯實現了較好性能參數。此為偏置點,元器能夠提高高出30 dBm的P1dB和高出46 dBm的OIP3。XF1001-SC使用于高達mg6 GHz的用途,其收獲為10 dB。
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MACOM
XF1001-SC
封裝的HFET,高線性度的Hetrojunction場效應晶體管
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