發布信息時光:2020-10-30 15:17:34 手機瀏覽:2658
硅(Si)工作電率電子元器件的轉型已臨近其耐熱性極限法,沒法能夠滿足控制開關主機電源的高頻、高效化率和高工作電率強度的需要,UMS氮化鎵(GaN)電功率結晶體管用作寬帶網隙半導體器件材料的常見意味著,以它面板開關極限速度非常快、寄身性能指標設置小、電性能指標設置優裕等優勢之處而收到大面積關注公眾號。
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Reference | Glin(dB) @ Freq(GHz) | Operating Frequency(GHz) | Saturated Power(W) | PAE(%) @ Freq(GHz) | Bias(mA) | Bias(V) | Case |
CHKA011aSXA | 23.5 @ 0.44 | Up to 1.5 | 130 | 75 @ 0.44 | 640 | 50 | Ceramic Metal Flange |
CHK8013-99F | 17 @ 6 | Up to 10 | 14 | 70 @ 6 | 180 | 30 | Die |
CHK9014-99F | 13 @ 12 | Up to 13 | 60 | 50 @ 12 | 700 | 30 | Die |
CHK8015-99F | 17 @ 9 | Up to 18 | 20 | 68 @ 9 | 200 | 30 | Die |
CHKA012a99F | 20 @ 3 | Up to 4 | 140 | 76 @ 3 | 0.65 | 50 | Die |
CHK015AaQIA | 18 @ 3 | Up to 4 | 20 | 55 @ 3 | 800 | 50 | QFN Plastic package |
CHK8101a99F | 14 @ 6 | Up to 6 | 20 | 60 @ 6 | 0.1 | 50 | Die |
CHK9013-99F | 18 @ 6 | Up to 8 | 88 | 65@6 | 1100 | 30 | Die |