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AMCOM頻射納米線管GaAs FET

推送日期：2020-09-15 15:12:31     挑選：1916

AMCOM砷化鎵場負效應晶胞管(GaAs FET)就是種專門的應用于高頻率、超長頻率和微波加熱微波射頻放小線路的場相應結晶體管。AMCOM微波射頻單晶體管GaAs FET的頻率范圍跨越電磁輻射譜，從30 MHz到紅外波段。AMCOM頻射多晶體管GaAs FET以其靈敏度而聞名，而GaAs FET產生的內部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過半導體材料。AMCOM頻射多晶體管GaAs FET不是種耗完電子元件，這象征著當保持參比電極如果沒有交流電壓值時，它會導電，當柵極有交流電壓值時，溝道純水電導率會削減。

在弱警報無線數字溝通和播報收到工作方面，AMCOMRF結晶管GaAs FET的性能指標遠遠高于太許多相關種類的場效用結晶管。一點種類的GaAs FET也使用在rf射頻電率增加器。GaAs FET也用到宇宙中wifi手機通信、射電天文學和wifi手機電癖好者所做的實驗操作。

AMCOMrf射頻硫化鋅管GaAs FET更具穩定的線形度。

河南市立維創展網絡是AMCOM銷售商，工程專業出具AMCOM食品系列表具有：微波射頻晶胞管、MMIC馬力調小器、相溶調小器功能電源模塊、帶寬調小器、高馬力調小器功能電源模塊、帶RF和DC對接器的高電工作電壓放小器包塊和低噪音污染放小器，電工作電壓放小器，面板開關，衰減器，移相器以其上/下部交流變頻電機的私人訂制等，車輛正品原產，產品絕對，感謝服務咨詢。

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 AMCOM.png

建模方法

頻率（GHz）

最大頻率（GHz）

增益（dB）

P1聲貝（dBm）

IP3（dBm）

偏差（V）

AM010MH4-BI-R

直流電壓電

3

19

31

46

-28

AM030MH4-BI-R

電流電

3

19

36

49

-28

AM006MX-QG-R

直流電電

6

13

22

34

-5

AM012MX-QG-R

直流電源電

6

13.5

25

37

-5

AM024MX-QG-R

直流電壓電

6

13

28

39

-5

AM036MX-QG-R

交流電電

6

12

29.5

42

-5

AM048MX-QG-R

交流電電

6

11

31

43

-5

AM072MX-CU-R

直流電源電

6

11

34

46

-7

AM100MX-CU-R

直流電壓電

6

10

35

48

-7

AM150MX-CU-R

直流電源電

6

10

36.5

50

-7

AM200MX-CU-R

直流電源電

6

10

38

48

-7

AM300MX-CU-R

直流變壓器電

6

9

39.5

51

-7

AM005MH2-BI-R

電流電

6

15

25

40

-14

AM010MH2-BI-R

電流電

6

15

28

43

-14

AM032MH4-BI-R

直流電壓電

6

19

36

49

-28


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