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AMCOM離散工作效率GaN HEMT微波射頻硫化鋅管

推送時間間隔:2020-08-27 16:10:31     瀏覽訪問:2260

AMCOM是全球半導體微波設計領先企業,是機器設備/MMIC封裝,功能模塊組裝和RF/DC檢測領域的專家,AMCOM的產品涵蓋功率FET,MMIC功率放大器及其帶有rf射頻和直流電連接器的高功率放大器功能模塊。AMCOM離散額定功率GaNHEMT頻射尖晶石管有著好的的線性和帶寬優越,特別能更加充收發揮出更好的的高公率高高度密集和轉換質量。

GaN是種十分平衡的類化合物,有著更強的水分子鍵、高的熱導率、最快的電離度和優秀的檢查是否平衡性,這表明GaN電子元件比Si和GaAs兼備更強的抗幅射水平。同一,GaN都是種高融點、高導熱性性的材料。GaN工作效率元器件封裝一般說來以SiC為襯底,兼備好些的熱導率,那么GaN熱效率器材有較高的結輕柔高溫度操作本事。

GaN高光學轉入率單晶體管(HEMT)已經是為5G中小型基站設備工作馬力變大器的新趨勢得票率水平,是由于其僵板的高電流電壓擊穿電流電壓、高工作馬力容重、大帶寬起步和優質率,往事不可追為5 G移動信號塔好選擇半導科技。

蘇州市立維創展科技產業AMCOM供應商商專注帶來了AMCOM車輛系列表主要包括:微波射頻多晶體管、MMIC電機功效放小器、混合型喂養放小器信息包塊、帶寬放小器、高電機功效放小器信息包塊、帶RFDC相連器的高功效擴大器模塊圖片和低噪音擴大器,功效擴大器,旋轉開關,衰減器,移相器相應上/下部調頻器的制定等,成品原放進口的進口的,質量衡量,歡迎語咨詢中心。

商品詳情頁熟知 AMCOM可雙擊://takasago.net.cn/brand/1.html

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 AMCOM.jpg

離散工作效率GaN HEMT

模式化

頻率(GHz)

最大頻率(GHz)

增益(dB)

P1音貝(dBm)

峰值(dBm)

偏差(V)

AM050WN-CU-R

直流電源電

6

16.5

41.7

43

-14

AM100WN-CU-R

交流電電

6

14

44.5

46

-14

AM025WN-BI-R

整流電

8

16

38.9

40

-14

AM012WN-BI-R

電流電

10

17

36.1

37

-14

AM005WN-BI-R

直流變壓器電

12

15

32

33.5

-14

AM012WN-00-R

直流電源電

15

22

36.1

37.7

-14

AM025WN-00-R

電流電

15

21

38.9

40.5

-14

AM050WN-00-R

整流電

15

20

41.7

43.3

-14

AM100WN-00-R

整流電

15

19

44.5

46.1

-14

AM005WN-00-R

直流電源電

18

23

32

33.4

-14


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