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HMC219B不是款超中小型的代用雙平衡點混頻器，所使用8引腳超中小型的塑膠片表貼二極管封裝，帶爆露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單電子配件微波射頻ibms電源線路系統(MMIC)混頻器所使用砷化鎵(GaAs)金屬件半導體行業場滯后效應晶胞管(MESFET)施工工藝研發，需不需要外鏈構件或符合電源線路系統。該配件可以用在作頻繁規模為2.5 GHz至7.0 GHz的上直流三菱直流變頻器這一物件、下直流三菱直流變頻器這一物件、雙相調配器或相位相比器。 立維創展HMC219B選用進行增強的巴倫結構的，給予優異的本振(LO)至微波射頻(RF)底部底部隔離及LO至中頻(IF)底部底部隔離特點。不不符合RoHS標準化的HMC219B不要線焊，與高發熱量表貼研制枝術兼容。MMIC特點固定可增強機系統運行吸收率并保證不不符合HiperLAN、U-NII和ISM法律要。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE軟件應用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖