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CMPA601C025F頻射尖晶石管是氮化鎵（GaN）高光電子變遷率晶胞管（HEMT）為片式微波加熱整合控制電路（MMIC）在無定形碳硅（SiC）基鋼板，的使用0.25μm柵長的光催化原理生產工藝。半導體技術展示25瓦的耗油率從6到12 GHz的瞬時網絡帶寬。GaN HEMT MMIC裝封在熱不斷增強，10lead 25厘米×9.9毫米左右的鋁合金/淘瓷法蘭片包。它展示 了了個小規模芯片封裝的高收獲和的熱效率在50歐姆。

CMPA601C025F食品的特點
小數字信號增益值34 dB
40 W類型的PSAT
工作達28 V
穿透相電壓高
高溫環境工作
長寬高0.172 x 0.239 x 0.004英尺
CMPA601C025F應運
電磁干擾縮放器
各種測試設配

CREE總部由首先的GaN基本的材質材料LED品牌當先高度，到微波射頻與毫米（mm）波處理器品牌，于2017年分割出微波射頻加盟品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大電機功率放縮器好產品為獨特。

南京市立維創展科學有限制司，開發CREE微波射頻元器競爭優勢供貨合同銷售渠道，并經常性庫存量期貨，以作國內 市場中訴求。

  *環節規格需審請USA出來經營。