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HMC455LP3(E)有的是款高傷害的IP3 GaAs InGaP異質結雙正負極多晶體管(HBT)、1?2瓦特MMIC變大器，在1.7至2.5 GHz的頻段下崗位。 該變大器僅利用最長總量的 外部元器件封裝形式，給出13 dB的增益控制，在PAE為56%時給出+28 dBm的過飽和傷害功率，利用一個+5 Vdc線電壓電。 在極具+42 dBm的高傷害IP3，再整合1.4:1的低VSWR，故而HMC455LP3(E)稱得上最適合PCS/3G移動基礎上設施設備的很理想驅程變大器。 此款線形變大器通過低人工成本的無引腳3x3 mm QFN外壁貼裝封裝形式(LP3)。 LP3給出漏出基極以建立優秀的RF和蒸發器功效。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC455LP3ETR HMC455LP3E	?瓦特高IP3放大器，采用SMT封裝，1.7 - 2.5 GHz	現貨	269

HMC455LP3應用

• 多載波系統
• GSM、GPRS和EDGE
• CDMA和WCDMA

• PHS

HMC455LP3優勢和特點

• 輸出IP3： +42 dBm
• 增益： 13 dB
• PAE為56%（Pout為+28 dBm時）
• +19 dBm的W-CDMA通道功率（ACP為-45 dBc時）
• 3x3 mm QFN SMT封裝

HMC455LP3結構圖