亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

MABC-001000-DPS00L有的是款低工作線端電壓偏置管理器，能夠為被測元器（DUT）展示 應該的柵極線端電壓和脈沖信號漏極線端電壓偏置。實用的DUT例如損耗的型GaN（氮化鎵）或GaAs（砷化鎵）公率擴大器或HEMT功率器件。該電源模塊還能提供偏置排名，所以除非你存在的負柵極偏置線工作電壓，這樣不可能將輸入脈沖漏極線工作電壓釋放到DUT。本統計資料手則的用途環節將提供如此為以內一個用途構建該方案：用途頁面設置1：用脈沖發生器漏極偏置特定負柵極偏置。應該用界面2：有著脈寬發生器漏極偏置的脈寬發生器負柵極偏置。這四種廣泛應用應用設置都將推介其他電路設計和p溝道電率MOSFET。

特色

•  某些上電/關閉電源編碼序列的穩盈GaN防護
•  柵極偏置導出功率= 50 mA，采應用于特重型RF再壓縮
•  低功率<100 mW
•  最終目標= 500 ns總旋鈕轉移時長
•  6.60 x 22.48 mm2二極管封裝，帶1 mm高度SMT引線
•  因此I / O端口號的30 dB典例EMI / RFI抑制性
•  其他MOSFET觸點開關驅程的漏極引路所在電流大小= 200 mA
•  擁有脈沖激光漏極偏壓的穩定柵極。追加摸塊可以門脈寬
•  復合RoHS *規格，兼容260°C循環焊

• 正電源模塊電阻：50 
• 正交流電源功率：14 mA
• 負電原電壓：-3 mA