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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A是一個款緊奏型型GaAs MMIC I/Q下變頻電機器，主要用到無引腳RoHS兼容型SMT二極管封裝。 該電子元件給出13 dB小訊號更換增益值，兼備25 dBc邊帶調控。 HMC6147ALC5A主要用到低燥音變成器來win7驅動下載I/Q混頻器，LO由X2倍頻器win7驅動下載。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A都是款家用suv轎車型GaAs MMIC I/Q下直流軟啟動，選取滿足RoHS規范的12引腳、淘瓷無鉛電子電子器件質粒(LCC)芯片封裝。該電子器件保證14 dB的小表現轉變成增益控制和25 dBc的鏡像文件促使效果。HMC6789BLC5A選取工作噪音小源變小器推動安裝I/Q混頻器，這其中LO由x2乘法器推動安裝

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E是一種款緊湊suv型GaAs MMICiso映射緩和低躁聲變頻柜器，選擇非常符合RoHS規范的無鉛SMT二極管封裝。 該元器件帶來13 dB的小的信號互轉增益控制，17 dBc的iso映射緩和和-2 dBm輸入IP3。 HMC1065LP4E充分利用RF LNA和由有源X2倍頻器安裝驅動的I/Q混頻器的工作。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E是一個款狹窄型GaAs MMIC I/Q下直流變頻空調器，用于無鉛5 x 5 mm低承載力注塑加工塑料材質表貼封裝。 該元件展示 12 dB的小數據信息轉移增益值、1.8 dB的的噪音常數和25 dBc的鏡像文件系統可以抑制性安全性能。 HMC1113LP5E用于LNA，后接由LO儲存器放縮器驅動安裝的鏡像文件系統可以抑制性混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B不是款省油的suv型GaAs MMIC I/Q下交流伺服電機，適用完全符合RoHS標準的無引腳SMT二極管封裝。 該元器件在大部分頻段時間范圍內提拱13 dB的小表現改變增加收益、2 dB的背景噪聲數值和24 dB的系統鏡像軟件治理和改善作用性能方面。 HMC951B適用LNA，后接由LO緩沖區器縮放器能夠的系統鏡像軟件治理和改善作用混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108也是款狹窄型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單心片微波微波射頻集成化電路原理(MMIC)同相正交(I/Q)低背景噪聲轉移器，適用達到RoHS標準規定的淘瓷無鉛心片的載體封口。HMC8108將區間為9 GHz至10 GHz的微波射頻(RF)顯示的警報轉移為打出web端60 MHz主要表現單端中頻(IF)的警報。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE就是款緊促型I/Q MMIC混頻器，進行“無鉛”SMT封口，可以作系統鏡像抑制性混頻器或一側隨身攜帶直流伺服電機。 該混頻器進行兩規范Hittite雙動態平衡混頻器摸塊和一款180度搭配元器件，均進行GaAs Schottky場效應管制作工藝研制。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E一款寬敞型I/Q MMIC混頻器，選擇“無鉛”SMT整流二極管封裝，適用作鏡象控制混頻器或單側帶上去交流變頻電機。 該混頻器選擇3個的標準Hittite雙發展混頻器模快和一兩個180度分層功率器件，均選擇GaAs Schottky整流二極管新工藝制造廠。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 創建在Qorvo的氮化鎵枝術知識基礎之端，該枝術可控制更加高的的效率，穩定穩定性，耗油率和可野外生存性，并可節儉外形尺寸，凈重和資金。任何FEM將關鍵因素的T / R引擎能力集成化到同一個狹窄的封裝形式中：T / R電開關，耗油率放小器和工作噪音小污染放小器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A有的是款砷化鎵(GaAs)單單片機IC芯片微波通信集合電路原理(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，適用具備RoHS規定的24引腳、瓷磚無鉛單片機IC芯片的載體(LCC)封口。該配件要用作鏡像文件可抑制混頻器或一側帶變頻式器。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191是款無源聯通寬帶I/Q單電源芯片紅外光融合電源電路(MMIC)混頻器，可以用在作收到器鏡像軟件克制混頻器或射出器一側帶著直流變頻空調器。HMC8191還具有6 GHz至26.5 GHz的頻射(RF)和本振(LO)領域各種DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬使用，更加適要求寬速度領域

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B一款家用suvsuv型GaAs MMIC I/Q混頻器，通過復合RoHS標準的的的無引腳SMT陶瓷圖片封口。 該功率功率器件用于作系統鏡像抑制性混頻器或單向帶電池變頻器。 該混頻器通過三個標準的的雙和平混頻器單元尺寸和另一個九十度比調功率功率器件，均通過GaAs MESFET的工藝制作。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4是一個款高gif動態比率GaAs PHEMT MMIC中低檔電機工率放縮器，通過無引腳“無鉛”SMT封裝形式。 該放縮器具有著17至24 GHz的工作的比率，帶來22 dB增益控制、+26 dBm飽合電機工率和23% PAE（+5V電源線端電壓）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4一款專用GaAs PHEMT MMICwin7驅動調小器，主要進行復合RoHS原則的無引腳SMT裝封。 該調小器主要進行+5V單交流電源，增加收益為15 dB，過剩輸出電壓電功率為+18 dBm。 在另一事情頻段內具備共同的增加收益和輸出電壓輸出電壓電功率

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4是款GaAs PHEMT MMIC驅動器縮放器，用無鉛4x4 mm表貼陶瓷制品封裝形式，運行速度空間為5.5至17 GHz。 該縮放器出具多達30 dB的增加收益、+30 dBm傳輸IP3及+23 dBm的傳輸電功率

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4都是款GaAs PHEMT MMIC驅動安裝調大器，按照無鉛4x4 mm瓷器表貼芯片封裝，上班的頻率空間為5至20 GHz。 該調大器給出可高達21 dB的增加收益值、+29 dBm讀取電壓IP3及+22 dBm的讀取電壓熱效率（1 dB增加收益值降低時），耗電為180 mA（+5V電源線）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498都是款高動態化範圍GaAs PHEMT MMIC最大輸出功率放縮器，工做頻次範圍為17至24 GHz。 HMC498供應24 dB收獲，供大于求最大輸出功率為+27 dBm，開關電源電流電壓為+5V (25% PAE)。 由厚度較小，HMC498放縮器可解乏集成系統到多單片機芯片版塊(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596是款兩極GaAs HEMT MMIC中等水平電機電率擴大器，操作頻繁超范圍為16至33 GHz。 HMC-APH596給予17 dB增益控制，用+5V外接電源交流電壓時兼具+24 dBm輸入輸出電機電率（1 dB進行壓縮）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012有能設計方案代替以輕柔的的直流電工率保證高OIP3。超規則化能力已在150MHz至3GHz的規格頻段中取得證明格式。RFGA2012兼具VBIAS引腳，可以我們專門針對特定的請求調優靜態式的電流大小。VBIAS引腳也快速可用作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024不是款高機械性能InGaP HBT MMIC增加器。RFGA0024的組織結構人員有源偏置電路系統禁止增加器就直接從5V開關電源事情，并提拱穩固的直流電壓隨溫度表變動無常并罰理Beta變動無常。這牌達林頓增加器的組織結構人員符合電阻值為50歐姆，十分比較適合應該小長寬比和非常少異常部件的使用。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014就是一款高的性能InGaP HBT MMIC擴大器。RFGA0014的內部有源偏置電路系統準許擴大器可以直接從5V電源模塊上班，并展示 安全的電流大小隨熱度轉化并罰理Beta轉化。這車達林頓擴大器的內部輸入阻值為50歐姆，比較滿足都要小圖片尺寸和較少第三方器件的應用領域。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為后面或變頻器器級技術應用制定的直線工作電瓦數擴大器IC。該器材選用暗含后邊的接地的無引線處理芯片媒體。RF5633制定用到在多方面的平均溫度和工作電瓦數工作效果標準內始終保持直線。間接適合為好幾個頻段的工作效果工作電瓦數帶來了可調式性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為中上熱效率技術應用結構制作的直線熱效率放小器IC。該配件選用先進的的InGaP異質結雙極單晶體管（HBT）技藝制造廠，結構制作看做802.16e衛星發射器的之后rf射頻放小器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827就是款普通，低直接費用，高規則化度的RF縮放器IC。該電子元器件應用砷化鎵新工藝產生，應用3mm x 3mm，16引腳QFN封口。它至關適于用于規則化/低躁音縮放器，這當中OIP3值為38dBm，躁音常數值為1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315也是款高生產率率砷化鎵異質結雙極結晶體管（HBT）圖像變小器電路，選取低投入面上貼裝芯片封裝。該圖像變小器電路是選用在須得200MHz至3GHz頻次范疇內的高線形度和低噪音污染常數的應用軟件。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223就是款按照低資金外表貼裝裝封的優質GaAs異質結雙極多晶體管（HBT）調大器。該調大器越來越符合于是需要500MHz至3GHz頻段范圍之內內的高規則化度和低躁音指數公式的適用。RF3223按照單5V主機電源電力，按照金錢的3mm x 3mm QFN裝封。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220是一種款高效化率砷化鎵異質結雙極多晶體管（HBT）調小器，主要應用低投入外表面貼裝封口。該調小器是非常支持于可以500MHz至3GHz率區域內的高線形度和低低頻噪音數值的運用。RF3220主要應用單5V電源模塊供電公司，主要應用經濟發展的3mm x 3mm QFN封口。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是面對3V手拿型軟件的高耗油率高轉化率的率曲線調大器IC。該電子元器件采取比較好的的砷化鎵異質結雙極結晶管（HBT）生產技術制造出，設計制作代替雙的模式3V CDMA / AMPS手拿型大數字蜂窩裝置擴頻軟件和其他app中的后面RF調大器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000是款融合式限幅器/ LNA，可在2-20GHz頻次規模內保證穩進，高安全耐腐蝕性。QPM1000在增益控制管理管理下保證17 dB的小的信號增益控制管理，在正個頻次規模內體現了1.7 - 4 dB的低頻噪音公式，> 18 dBm P1dB。前者，融合限幅器保證高至4 W的入射工率的穩進性技術，而不懂縮減安全耐腐蝕性。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM解散于1999年1二月，由一些在紅外光通信加熱用電線路設汁方案和紅外光通信加熱電子器件制造出工藝領域相關經驗多的紅外光通信加熱設汁方案師成分。它靠近美式馬里西安蓋瑟斯堡，距華盛頓西南約20英里。該品牌用作技術領先的紅外光通信加熱設汁方案集體給予盛譽，該集體還有輸出電機功效FET，MMIC輸出電機功效放小器、帶RF和DC連接方式器的高輸出電機功效放小器功能，他們功能已安排實用于紅外光通信加熱設備。