CHA2292-99F是具有可變增益的高增益四級單片低噪聲放大器。它設計用于從軍事到商業通信系統的廣泛應用。芯片的背面同時接地了RF和DC。這有助于簡化組裝過程。
該電路板分為pHEMT工藝工藝研發,柵極間距為0.25μm,可以通過基材的通孔,大氣橋和自動化束柵北極光刻工藝研發。
它以處理芯片方式具備。
CHA2292-99F 放大器–模擬VGA
rf射頻速率(GHZ): 16 - 24增加收益(dB):26收獲陡峭度(+/- dB):1躁聲常數(dB):2.8增益有效控制有效控制的范圍(dB):20P-1dB讀取(dBm):11定貨貨期:3-4周CHA2292-99F是具有可變增益的高增益四級單片低噪聲放大器。它設計用于從軍事到商業通信系統的廣泛應用。芯片的背面同時接地了RF和DC。這有助于簡化組裝過程。
該電路板分為pHEMT工藝工藝研發,柵極間距為0.25μm,可以通過基材的通孔,大氣橋和自動化束柵北極光刻工藝研發。
它以處理芯片方式具備。