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AM025WN-00-R也是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總寬為2.5mm（兩人1.25亳米FET串聯）。它不是個裸模，可操作方法超過15千兆赫。它能提高40.5 dBm的典型的飽合電功率。此環節符合國家RoHS。

特點

獨角獸高達15GHz的中頻操作步驟

在2GHz時增益值=21dB

PAE=53%

P5dB=40.5 dBm

軟件應用

蜂窩無限移動通信基站

無線網局域網絡、中繼器

C股票波段VSAT

雷達探測

測量醫療儀器

攻沙