中文名
紅外光元電子元器件封裝
AM012WN-BI-R不是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長寬為1.25亳米。它是在1個瓷器雙包操作方法高達mg10千兆赫。BI類型選擇特異制定的陶瓷制品封裝類型，選擇放到式裝措施，包含彎度（BI-G）或直（BI）絞線。芯片封裝底邊的卡箍與此同時當做直流電源的一定接地、微波射頻的一定接地和熱車道。此地方契合RoHS。
結構特征
獨角獸高達10GHz的低頻運營
增益值=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
表層貼裝
很好的散熱性能的下層社會
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蜂窩遠程基站天線
帶寬和窄帶增加器
聲納
測試方法分析儀器
國防軍事
干預器