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Cree品牌的CMPA2560025F也是種因為氮化鎵（GaN）高微電子器件遷出率結晶狀體管（HEMT）的單支微波通信集成型電路設計（MMIC）。與硅或砷化鎵較之，GaN享有越來越高的擊穿電阻電阻、越來越高的呈現飽和狀態微電子器件漂移的速度和越來越高的熱導率。與Si和GaAs結晶狀體管較之，GaN-hemt還享有越來越高的耗油率硬度和更寬的資源下行帶寬。種MMIC分為一兩個二級發生反應識別縮放器，使十分寬的資源下行帶寬可不可以在一兩個小的土地征用規模的扭松封裝形式，享有銅鎢風扇cpu散熱器。

共同點?24 dB小電磁波增加收益?25 W主要PSAT?事業的電壓敢達28 V?高熱擊穿工作電壓?常溫運轉

使用?超高帶變小器?金屬驅動安裝器?檢查檢測儀器?EMC調小器