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X3C19F1-03S
X3C19F1-03S
重要的性能

X3C19F1-03S幾率(GHZ):1.7 - 2.3工作電壓(W):25回波衰減(dB):25導入材料耗費(dB):0.20


品牌:Anaren

貨品具體詳細介紹英文
X3C19F1-03S是一種個低儀態,高耐腐蝕性的3dB融合交叉耦合器在的新的便于的使用,研發團結的界面布置封裝類型。它是為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段運用而制作的。X3C19F1-03S是專為動態平衡量效率和低嗓聲擴大器,帶上的信號分配原則和各種必須要 低插入表格消耗和嚴謹的振動幅度和相位動態平衡量的運用而制作的。它能夠 使用高達模型25瓦的高效率運用。零件加工早已過嚴要求的評定考試,它是是運用熱增大常數(CTE)的原產品創造的,這一些原產品與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等多見基本的材質材料兼容。產生6個契合RoHS條件的浸錫面磚


X3C19F1-03S的特征:?1700-2300兆赫?擴大器、GSM、WCDMA和LTE?高公率?越來越低的耗費?牢固幅值穩定性?高隔絕度?生產方式合理型?磁帶和護符?無鉛
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