EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口長寬為120μm,0.15μm。T形鉿合金閘門啟閉機兼備低熱敏電阻和精湛的靠譜性。
該電子器件信息顯示出無比高的跨導,進而會造成無比高的次數和低躁聲的性能。
它以存儲芯片方法供給,含帶能夠 孔聯系的源極,僅需限止柵線和漏極線。
EC2612-99F 晶體管
頻射傳輸速率(GHz): 直流電-40增加收益(dB):9.5噪音分貝常數(dB):1.5購貨交貨期:3-4周EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口長寬為120μm,0.15μm。T形鉿合金閘門啟閉機兼備低熱敏電阻和精湛的靠譜性。
該電子器件信息顯示出無比高的跨導,進而會造成無比高的次數和低躁聲的性能。
它以存儲芯片方法供給,含帶能夠 孔聯系的源極,僅需限止柵線和漏極線。