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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

關鍵性主要參數

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

微波射頻帶寬使用（GHz）： 1.2-1.4小信息收獲（dB）：20輸出（W）：200相關的增加收益（dB）： > 14P-1dB傳輸（dBm）：-PAE（％）： 52進貨交貨時間：3-4周

物料具體詳情介紹

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

更加更適合電脈沖雷達天線應運。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT工序上指出的。它由于準MMIC能力。

它分為封口蝶閥法蘭淘瓷金屬質電源適配器封裝形式，可展示低鉆入和低散熱量。

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