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CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管
CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管
核心參數指標

CHK9013-99F  氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@頻次（GHz）： 18 @ 6業務頻繁 （GHz）： 數最多九個飽和狀態電機功率（W）：  88PAE（％）@頻點（GHz）：  65 @ 6備貨交貨時間：3-4周

品牌：UMS微波

設備具體詳情介召

CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該物品為汽車雷達和鐵通等不同的RF電壓應該用能提供專用和網絡帶寬消除計劃書。

該線路是在SiC襯底上用0.25μm柵長的GaN HEMT水平制造出的。

它以裸處理器組織形式確立，因此想要外部結構相匹配控制電路。


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