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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

主要參數表

CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@次數（GHz）： 14 @ 6的工作率（GHz）：數最多6個飽滿電功率（W）： 20PAE（％）@率（GHz）： 60 @ 6定貨交貨時間：3-4周

廠品詳情介召介召

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該物品為統計和電信網等各樣RF電壓利用作為實用和寬帶網完成方式。

它是源于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT系統的開發的，還尤為包含RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006命令的法律規定。

它以裸處理芯片樣式推出，還有就是所需外部結構配比電路系統。

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