該CHT4690-FAB是可調衰減器5-30GHz設計的概念采用廣泛技術應用的技術應用使用范圍,從軍事到商業區通迅系統化。基帶芯片的后殼是RF和DC接地極。這有利于要學會簡化制做期間。
該電路設計主要包括MESFET制作工藝開發,柵極時間為0.7μm,順利通過的基板和和氣氣橋上的通孔。
它進行符合國家RoHS的良好的密封性SMD芯片封裝帶來。
CHT4690-FAB 衰減器–模擬
頻射上行寬帶(GHZ):5 - 30放入耗用(dB):4振動幅度管理(dB):33.5P-1dB發送(dBm):25備貨交貨時間:3-4周該CHT4690-FAB是可調衰減器5-30GHz設計的概念采用廣泛技術應用的技術應用使用范圍,從軍事到商業區通迅系統化。基帶芯片的后殼是RF和DC接地極。這有利于要學會簡化制做期間。
該電路設計主要包括MESFET制作工藝開發,柵極時間為0.7μm,順利通過的基板和和氣氣橋上的通孔。
它進行符合國家RoHS的良好的密封性SMD芯片封裝帶來。