CHA5266-QDG是一款三級單片GaAs中功率放大器。
它的設計采用從靠譜到服務業流量軟件的廣泛的選用。
該集成運放選用pHEMT加工制作工藝 造成,柵極厚度為0.25μm,實現基材的通孔,熱空氣橋和網上束柵北極光刻的技術造成。
它以復合RoHS的SMD二極管封裝保證。
CHA5266-QDG 放大器– MPA
頻射上行速率(GHZ):10-16增益值(dB):23IP3(dBm):35P-1dB輸送(dBm):25.5傷害效率(dBm):27定貨交貨時間:3-4周CHA5266-QDG是一款三級單片GaAs中功率放大器。
它的設計采用從靠譜到服務業流量軟件的廣泛的選用。
該集成運放選用pHEMT加工制作工藝 造成,柵極厚度為0.25μm,實現基材的通孔,熱空氣橋和網上束柵北極光刻的技術造成。
它以復合RoHS的SMD二極管封裝保證。