CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它設置在從軍事到商務通信技術整體的多應該用。
該線路分為pHEMT加工制作工藝 制作,柵極直徑為0.15μm,依據襯底的通孔,氣氛橋和智能束柵神行者刻技術性制作。
它以集成電路芯片表現形式提供數據。
CHA2157-99F 放大器– LNA
微波射頻帶寬使用(GHZ):55-65增加收益(dB):10增益值同軸度(dB):1躁音指數(dB):3.5P-1dB模擬輸出(dBm):15定購交貨:3-4周CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它設置在從軍事到商務通信技術整體的多應該用。
該線路分為pHEMT加工制作工藝 制作,柵極直徑為0.15μm,依據襯底的通孔,氣氛橋和智能束柵神行者刻技術性制作。
它以集成電路芯片表現形式提供數據。