CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統選擇標準的的pHEMT流程營造:柵極厚度0.25μm,可以通過基鋼板的通孔,氣氛橋和電商束柵流星刻。
它以存儲芯片結構類型可以提供。
CHA2190-99F 放大器– LNA
rf射頻帶寬使用(GHZ):20 - 30增加收益(dB):15增益值同軸度(dB):0.5躁聲彈性系數(dB):2.2P-1dB打出(dBm):11定購貨期:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統選擇標準的的pHEMT流程營造:柵極厚度0.25μm,可以通過基鋼板的通孔,氣氛橋和電商束柵流星刻。
它以存儲芯片結構類型可以提供。