CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路板選用pHEMT方法制作,柵極間距為0.25μm,采用基材的通孔,水汽橋和智能電子束柵北極光刻技術制作。
它以適合RoHS的SMD封裝形式出具。
CHA3688aQDG 放大器– LNA
微波射頻上行速率(GHZ):12.5-30增加收益(dB):26增加收益同軸度(dB):2的噪音比率(dB):2P-1dB讀取(dBm):14進貨交貨時間:3-4周CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路板選用pHEMT方法制作,柵極間距為0.25μm,采用基材的通孔,水汽橋和智能電子束柵北極光刻技術制作。
它以適合RoHS的SMD封裝形式出具。