CHA2063a99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電源線路分為pHEMT制作工藝開發:柵長0.25μm,憑借柔性板的通孔,氣橋和電子為了滿足電子時代發展的需求,束柵光刻。
它以電子器件行駛或封密無鉛瓷磚封裝類型能提供。
CHA2063a99F 放大器– LNA
rf射頻下行帶寬(GHZ): 7-13增益控制(dB):19收獲同軸度(dB):2噪聲源彈性系數(dB):2P-1dB工作輸出(dBm):8進貨貨期:3-4周CHA2063a99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電源線路分為pHEMT制作工藝開發:柵長0.25μm,憑借柔性板的通孔,氣橋和電子為了滿足電子時代發展的需求,束柵光刻。
它以電子器件行駛或封密無鉛瓷磚封裝類型能提供。