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CHA3666-FAB 放大器– LNA
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至關重要叁數

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rf射頻上行寬帶(GHZ): 6 - 16增加收益(dB):21增加收益同軸度(dB):1噪音污染比率(dB):1.8P-1dB打出(dBm):17訂購貨期:3-4周

品牌:UMS微波

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所述CHA3666-FAB是二級自偏置寬頻率段片式低噪音風機源變成器。

該用電線路適用規格的pHEMT制作工藝開發:柵極粗度0.25μm,完成柔性板的通孔,暖空氣橋和手機束柵星空刻。

個人建議主要采用無鉛面上貼裝全外移五金瓷磚6x6mm2打包封裝。整體化電為4V / 80mA。

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