CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電源電路采取的標準的pHEMT加工工藝生產:柵極間距0.25μm,實現基材的通孔,氣橋和電商束柵神行者刻。
CHA3666-99F 放大器– LNA
微波射頻上行寬帶(GHZ): 6 - 17增加收益(dB):21收獲同軸度(dB):0.5嗓聲指數公式(dB):1.8P-1dB模擬輸出(dBm):17備貨交貨:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電源電路采取的標準的pHEMT加工工藝生產:柵極間距0.25μm,實現基材的通孔,氣橋和電商束柵神行者刻。