NPT2010 GaN-HEMT也是種寬帶網結晶體管,為DC-2.2ghz辦公而優化提升。該裝置設計構思主要用于連續不斷波、脈沖信號和非線性操作的,導出瓦數級為100W(50dBm),用帶螺帽活套法蘭的輕工業標準化合金金屬瓷磚封口。
結構特征
適直線和呈現飽和狀態技術應用
可從DC-2.2 GHz調諧
48V的操作
制造業標準單位包
高引流轉化率(>60%)
技術應用
中國國防數據通信
大陸架移動端手機無線電
航材光電專用設備
wlan地基體系
ISM使用
VHF/UHF/Lk線統計
NPT2010B大電耗油率rf射頻電耗油率晶胞管工做平率:DC-2.2GHz 瓦數: 100W-50dBm高安全可靠度淘瓷電鍍金打包封裝GaN新工藝
NPT2010 GaN-HEMT也是種寬帶網結晶體管,為DC-2.2ghz辦公而優化提升。該裝置設計構思主要用于連續不斷波、脈沖信號和非線性操作的,導出瓦數級為100W(50dBm),用帶螺帽活套法蘭的輕工業標準化合金金屬瓷磚封口。
結構特征
適直線和呈現飽和狀態技術應用
可從DC-2.2 GHz調諧
48V的操作
制造業標準單位包
高引流轉化率(>60%)
技術應用
中國國防數據通信
大陸架移動端手機無線電
航材光電專用設備
wlan地基體系
ISM使用
VHF/UHF/Lk線統計