AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI全系列的有一部電影分。HiFET也是種一些篩選的專利技術環保設施調試,應用軟件在油田、大瓦數、高規則化和聯通寬帶應用軟件。該部位的總環保設施外邊為4mm。AM010MH4-BI-R專為高電率紅外光利用而設置,本職工作頻繁可以達到3GHz。BI品類主要包括獨特的設計的陶瓷圖片封口,彎曲成或彎彎曲曲的引線和卡箍主要包括加入式使用形式。禮品盒下面的卡箍與此同時當作直流變壓器的跨接、微波射頻的跨接和熱節點。此類HiFET契合RoHS要求。
特色
28V漏極偏壓
移動寬帶組成部分相配:DC–2.4GHz
超過3 GHz的高頻率運作
高增加收益:G=19dB@2.0GHz
高耗油率:P1dB=31dBm@2.0GHz
高曲線:IP3=46dBm@2.0GHz
行之有效散熱的淘瓷彩盒
應該用
寬帶網廣泛應用
高壓變壓器20至28V
wifi本地服務環公路網絡
PC移動信號塔
WLAN、中繼器和超網段
C頻譜VSAT
航班電子電力