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紅外光元電子電器元件
AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場滯后效應晶狀體管BI全系列的一局部分。HiFET也是種部份配比的專利技術的設備調試，主要用于各類高壓、大工率和帶寬應運。這一環節份的總功率器件周邊為2毫米左右（一個1直徑的FET并聯電路圖）。AM010WH2-BI-R專為中工作中電壓微波通信軟件應用而開發，工作中速度能達12GHz。它也是更重熱效率設施的抱負驅動步驟步驟。BI產品利用特別開發的瓷器裝封，利用鑲入式安轉形式，有帶彎曲成（BI-G）或直（BI）絕緣線。芯片封裝尾部的蝶閥法蘭的同時重復使用直流電壓的接地保護、rf射頻的接地保護和熱工作區。此要素符合國家RoHS。
表現形式
到達12GHz的低頻工作
高收獲和高輸出，P1dB=30dbm@3.5GHz
外表貼裝
高效散熱的表層
用途
無線網當地環道路絡
蜂窩有線電溝通
WLAN、中繼器和超局域網ip
C中波段VSAT
聲納