公布準確時間:2025-09-02 17:10:49 打開網頁:108
HCB1075N國產是DELTA(臺達)專為高直流電壓溶解度用建造的高效果接觸面貼裝(SMT)熱效率電傳感器,運用鐵氧體磁芯與四層平繞結構特征,鼓勵280A穩定工作電流及100μH標稱電感量,享有中頻低消耗、耐中高溫(125℃)和強抗電滋干撓特性,多應用于DC-DC變為器、DC-AC直流電源及工作器、筆記本顯卡、5G網絡通信等高工作電壓電壓摸塊,以緊身貼片裝封保證 高人體脂肪互轉與穩定性高輸電。
核心思想技術參數
不間斷特性
穩定瞬時電流:280A。
電感值:100μH(部門型號查詢準許誤差率±15%)。
事情速度:適用高頻率應運(100kHz測驗條件),感抗XL為24.8Ω,品質質量質因數Q為12。
平均溫度范圍之內:-40℃至125℃。
結構的與涂料
磁芯與繞線:使用鐵氧體磁芯與三層平繞式繞線構造,磁芯初級線圈來設計整合磁通密度計算公式,調低漏磁。
裝封方法:貼片功效電感封裝,磁芯線條為罐形,骨架資料為鎳鋼粉絲,大幅提升熱量散發效果。
屏蔽了特征參數:內嵌屏幕層,減掉電磁波騷擾(EMI),更適合高容重電路原理分布。
打造制作工藝
超高壓脫模水平:磁塊不飽和樹脂裝修材料(磁塊顆粒+熱固性環氧樹脂)可以通過高電壓澆注包囊電阻,提拔節構的強度與穩定經濟性。
電級來設計:工體構造運用“工字型”受力,電機轉子端子排實現離子束去皮顯露,并遍布錫化學鎳或焊料成型穩定可靠工業面。
重要特質
高電流值力:飽和電流量(Isat)極限達 94 A,管用電壓電流(Irms)最高的人達 76 A。
低輪廊構思:極度僅 7.5 mm,應主要用于超薄型開關電源的設計。
磁關閉框架:閉合式磁路設計,差異性減輕 EMI,抑制對較近器件打擾。
低電流電阻值:DCR 低至 0.29 mΩ,更好降低了導通損耗費,提生系統軟件生產率。
干凈合法合規:合乎 RoHS 環保型標準。
APP消費場景
高效率換算產品
l cpu與保障器主版:HCB1075N系列作品電紅外感應器很廣應運于獨立顯卡(如AMD/NV品類)及工作器電腦主板,適配大瞬時電流低感值消費需求,狠抓交流電源轉移率。
l CPU/GPU供電設備:搭檔式大工作電壓裝修設計可代替品中國傳統分立電感,變少PCB使用率發展空間,增強馬力體積密度。
工農業與通訊技術行業
l 5G數據通信移動基站:高頻大工作功率功能滿意通信基站主機電源控制模塊消費需求,固定適配高電機負載程序運行。
l 工控設備板與挖礦機:耐氣溫、抗振蕩設計制作順應企業條件,得到保障長時安全穩定義。
勝機匯總
高直流電載重量力:280A電機額定耗油率電壓遠超常規電感,充分考慮偏激耗油率市場需求。
低頻低耗率:鐵氧體磁芯與升級優化繞線組成下降直流電電阻值(Rdc),優化Isat值(飽合瞬時電流)。
超智能化定制:貼片裝封與緊身框架(如HCB1075N-211面積僅需少許PCB空間)助推器設施設備輕薄型化。
東莞市立維創展信息技術是有限的公司以DELTA過多現貨黃金存量為一大特色,以特點的價格多少為加盟商供應保障,歡迎會詳詢。
型號規格型號
機型 | 電感量 L (μH) | 直流電源熱敏電阻 DCR (mΩ) | 飽滿直流電 Isat (A) | 載荷系數直流電 Irms (A) | 尺寸大小 L×W×H (mm) |
HCB1075N-121 | 0.115 | — | — | — | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-151 | 0.150 | — | 94 | 76 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-181 | 0.175 | — | 72 | 59 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-211 | 0.215 | 0.29 | 62 | 50 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-231 | 0.230 | — | 48 | 39 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-271 | 0.270 | — | 43 | 35 | 10.4×8.0×7.5 |
HCB1075N-311 | 0.310 | — | 37 | 30 | 10.4×8.0×7.5 |